金属与超薄非晶硅薄膜的接触特性研究

• 作者: 俞健 刘正新 刘美玲 卞剑涛 孟凡英 张丽平
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄非晶硅薄膜 欧姆接触 低温退火 比接触电阻
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 页码范围: 2952-2957
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3584字
• 语种: 中文

摘要

研究金属与非晶硅薄膜(a-Si∶H)的接触特性,用于晶体硅异质结太阳电池新型电极技术开发.采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)技术制备超薄(～10 nm)a-Si∶H薄膜,利用真空镀膜技术制作金属电极,采用圆点传输线模型(C DTLM)研究a-Si∶H与不同金属(Al、Ni、Ti、In)的接触特性.低温退火后a-Si∶H与Ni、Al、Ti可获得良好的欧姆接触.经200℃退火,p型非晶硅p-a-Si∶H与Al的比接触电阻降至0.3 mΩ·cm2;n型非晶硅n-a-Si∶H与Ti的比接触电阻降至0.7 mΩ·cm2,表明这两种金属可以直接用于a-Si∶H薄膜的表面电极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘美玲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心	8	87	4.0	8.0
5	孟凡英	中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心	6	16	3.0	4.0
6	俞健	中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心	3	17	2.0	3.0
7	卞剑涛	中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心	3	4	1.0	2.0
8	张丽平	中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心	5	28	3.0	5.0