近紫外光激发BaSr2Si3O9∶Eu3+的合成及性能研究

• 作者: 于晓明 王晓军 王燕锋 田澍 雒卫廷
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: BaSr2Si3O9∶Eu3+ 高温固相法 近紫外芯片 发光材料
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 61-62,65
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

采用高温固相法制备近紫外光激发的BaSr2Si3O9∶Eu3+发光材料,研究了Eu3+不同掺杂量对样品晶体结构、发光特性的影响规律.用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、紫外-可见光谱分析系统对样品进行了表征和封装评价.结果表明,随着Eu3-的掺入,BaSr2Si3 O9晶体结构并没有发生变化;激发主峰为395nm,发射主峰为611nm,随着Eu3+掺杂量的增加,样品发光强度先升高后降低,在掺杂量为6％(摩尔分数)时发射强度最大;结合396nm近紫外芯片和BAM双峰蓝色荧光材料进行封装测试,所制备白光LED显色指数为88,色温5953K,因此,BaSr2Si3O9∶Eu3-是一种很有应用前景的近紫外激发发光材料.