铝掺杂单壁扶手型（6,6）硅纳米管电子结构和光电性质的第一性原理研究?

• 作者: 余志强 廖红华 张昌华 郎建勋
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光电性质
• 年，卷（期）: 2016,（22）
• 页码范围: 147-151
• 页数: 5页
• 分类号: O481.1
• 字数: 2074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.22.031

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了铝掺杂对单壁扶手型(6,6)硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态硅纳米管属于直接带隙半导体,其禁带宽度为0.42 eV,而铝掺杂硅纳米管为间接带隙半导体,其禁带宽度为0.02 eV。单壁扶手型(6,6)硅纳米管的价带顶主要由 Si-3p 态电子构成,而其导带底则主要由 Si-3 p态电子决定。同时通过铝掺杂,使硅纳米管的禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖红华	湖北民族学院电气工程系	71	326	10.0	15.0
2	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
3	郎建勋	湖北民族学院电气工程系	15	20	2.0	3.0
4	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0