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围栅金属氧化物半导体场效应管电流模型
围栅
载流子
表面势
漏电流
单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型
单轴应变
E-k关系
电导有效质量
全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型
围栅
表面势
阈值电压
短沟道效应
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 (100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型?
来源期刊 物理学报 学科
关键词 应变 电导率有效质量 双椭球 模型
年,卷(期) 2016,(1) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 018501-1-018501-8
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.65.018501
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研究主题发展历程
节点文献
应变
电导率有效质量
双椭球
模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
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174683
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