a-Si∶H/a-SiC∶H 多层薄膜的光、电特性研究?

• 作者: 丁宁 蒋冰 陈乙豪 马蕾
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD 多层薄膜 微结构特征 电子输运性质 光吸收特性
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 10153-10156
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.028

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4、CH4和 H2为反应气体,在单晶硅和石英衬底上制备a-Si∶H/a-SiC∶H 多层薄膜。利用透射电子显微镜(TEM)对样品的微结构进行了表征,同时对其电子输运性质和光吸收特性进行了实验研究。结果表明,本实验条件下制备的多层薄膜样品为非晶态多层薄膜结构,并且样品具有良好的周期性结构和陡峭的界面特性。室温条件下,样品在垂直方向上呈现出多势垒顺序共振隧穿特性。由于量子限制效应,当a-Si∶H 势阱层厚度＜8 nm,随着势阱层厚度减小,样品的光学带隙增大,光吸收系数减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	蒋冰	河北大学电子信息工程学院	7	10	2.0	2.0
3	陈乙豪	河北大学电子信息工程学院	7	10	2.0	2.0
4	丁宁	河北大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0