钴离子表面印迹聚合物的制备及其吸附性能研究

• 作者: 孙春艳 李生芳 杨林
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: 离子印迹聚合物 表面印迹技术 钴离子 吸附性能
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

以钴离子为模板离子,硅胶为基底,(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷为功能单体,环氧氯丙烷为交联剂,采用表面印迹技术制备并表征了钴离子印迹聚合物[Co(Ⅱ)-ⅡP],研究了其对钴离子的吸附性能.结果表明,在25℃、pH=5～6时平衡吸附时间为1h,最大吸附量为20.05mg/g.Co(Ⅱ)-ⅡP对Co(Ⅱ)/Cd(Ⅱ)、Co(Ⅱ)/Pb(Ⅱ)、Co(Ⅱ)/Cu(Ⅱ)、Co(Ⅱ)/Ni(Ⅱ)吸附选择性系数分别为2.52、1.34、3.61、4.39.经5次吸附-解吸循环后,Co(Ⅱ)-ⅡP对钴离子的吸附效果并没有明显下降,表明该材料具有一定的循环利用性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙春艳		17	24	4.0	4.0
2	杨林		7	9	2.0	3.0
3	李生芳		13	28	3.0	4.0