第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展

• 作者: 王寅飞 郑泰山 阮毅
• 来源期刊: 机电工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: 第三代半导体 SiC晶体 SiC晶体生长设备 SiC晶体生长工艺
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2016.03.005

摘要

第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料，重点介绍了SiC晶体生长方法，SiC晶体生长设备基本构成，设备技术国内外进展情况，最后指出了将设备研发和生长工艺相结合研制出更加成熟的SiC晶体生长设备的重要性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮毅		17	63	5.0	7.0
2	王寅飞		8	20	3.0	3.0
3	郑泰山		9	30	4.0	5.0