AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管?

• 作者: 何云龙 张进成 李祥东 毛维 王冲 裴九清 赵梦荻 郑雪峰 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双异质结 增强型器件 F等离子体 漏致势垒降低效应
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 038501-1-038501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.038501

摘要

理论模拟了不同GaN沟道厚度的双异质结(AlGaN/GaN/AlGaN/GaN)材料对高电子迁移率晶体管(HEMT)特性的影响，并模拟了不同F注入剂量下用该材料制作的增强型器件的特性差异。采用双异质结材料，结合F注入工艺成功地研制出了较高正向阈值电压的增强型HEMT器件。实验研究了三种GaN沟道厚度制作的增强型器件直流特性的差异，与模拟结果进行了对比验证。采用降低的F 注入等离子体功率，减小了等离子体处理工艺对器件沟道迁移率的损伤，研制出的器件未经高温退火即实现了较高的跨导和饱和电流特性。对14 nm GaN沟道厚度的器件进行了阈值电压温度稳定性和栅泄漏电流的比较研究，并且分析了双异质结器件的漏致势垒降低效应。