LaTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性及Ti 含量优化?

• 作者: 徐火希 徐静平
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ge MOS LaTiO 界面质量 k值
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 037301-1-037301-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.037301

摘要

采用共反应溅射法将Ti添加到La2 O3中,制备了LaTiO/Ge 金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti-基氧化物具有极高的介电常数, LaTiO栅介质能够获得高k值；然而由于界面/近界面缺陷随着Ti含量的升高而增加,添加Ti 使界面质量恶化,进而使栅极漏电流增大、器件可靠性降低.因此,为了在器件电特性之间实现协调,对Ti含量进行优化显得尤为重要.就所研究的Ti/La2O3比率而言,18.4%的Ti/La2O3比率最合适.该比率导致器件呈现出高k值(22.7)、低Dit (5.5×1011 eV?1·cm?2)、可接受的Jg (Vg=1 V, Jg=7.1×10?3 A·cm?2)和良好的器件可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0