一维Si3 N4合成的研究进展

• 作者: 刘一军 张电 朱瑞娟
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 一维Si3 N4 形貌 合成方法 生长机制
• 年，卷（期）: 2016,（21）
• 页码范围: 33-39
• 页数: 7页
• 分类号: O782|TB484.5
• 字数: 6632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.21.006

摘要

纤维、晶须、纳米线等一维 Si3 N4材料及纳米带、纳米管、纳米环、纳米电缆等准一维 Si3 N4材料是具有优异的力学和热学性质的宽禁带半导体，在复合材料、催化、微纳器件和机电系统等方面有重要的应用价值。按形貌特征对一维 Si3 N4进行分类，概括了直接氮化法、碳热还原法、化学气相沉积法和先驱体热解法等合成方法，阐述了气-液-固、气-固、固-液-固等生长机制，详述并总结了一维 Si3 N4的研究现状，进而对其存在的问题和研究方向进行了分析和展望。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张电	西安建筑科技大学材料与矿资学院	9	12	2.0	3.0
3	刘一军		11	15	2.0	3.0
6	朱瑞娟	西安建筑科技大学材料与矿资学院	1	2	1.0	1.0