电子辐照下GaAs/Ge太阳电池性能退化机制

• 作者: 张子锐 王月媛 盛延辉 胡建民 齐佳红
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs太阳电池 辐照损伤模型 少数载流子扩散长度
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1651-1652,1672
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 2281字
• 语种: 中文

摘要

通过空间带电粒子辐照地面等效模拟实验得到1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律.根据太阳电池电学参数退化模型,对太阳电池短路电流退化曲线进行非线性分析,建立空间GaAs/Ge太阳电池少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量变化的基本规律.结果表明,少数载流子扩散长度损伤系数随入射电子能量的增高而增大,这与短路电流退化幅度随电子能量变化规律一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王月媛	哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室物理与电子工程学院	19	23	3.0	4.0
2	胡建民	哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室物理与电子工程学院	37	135	7.0	10.0
3	张子锐	哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室物理与电子工程学院	4	3	1.0	1.0
4	齐佳红	哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室物理与电子工程学院	2	3	1.0	1.0
5	盛延辉	哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室物理与电子工程学院	2	5	1.0	2.0