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摘要:
采用密度泛函理论计算的方法研究了Zn空位缺陷下ZnO的电子结构性质.结果表明,所有ZnO材料均为直接带隙型材料,含有Zn空位缺陷的ZnO禁带宽度由0.78 eV分别增加至1.62 eV和1.58 eV.所有ZnO的总态密度曲线具有相似的形状,含有Zn空位缺陷的ZnO的总态密度曲线极值点数量减少,局域化能量点数量减少.含有Zn空位缺陷的ZnO费米能上的态密度降低.随着Zn空位缺陷浓度的增加,ZnO费米能上的p态电子数量逐渐增加,这主要由来自于Op态电子的贡献.
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文献信息
篇名 Zn缺陷对纤锌矿结构ZnO电子性质的影响研究
来源期刊 硅酸盐通报 学科 物理学
关键词 ZnO 缺陷 Zn空位 电子性质
年,卷(期) 2016,(11) 所属期刊栏目 试验与技术
研究方向 页码范围 3839-3843
页数 5页 分类号 O472
字数 3916字 语种 中文
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨帆 辽宁建筑职业学院土木工程系 22 56 4.0 5.0
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