篇名 | Numerical and experimental study of the mesa configuration in high-voltage 4H-SiC PiN rectifiers | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | silicon carbide mesa configuration PiN rectifier breakdown voltage | ||
年,卷(期) | 2016,(8) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 317-321 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/25/8/087201 |