篇名 | A G-band terahertz monolithic integrated amplifier in 0.5-μm InP double heterojunction bipolar transistor technology | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | terahertz amplifier InP double heterojunction bipolar transistor inverted microstrip line monolithic integrated circuit | ||
年,卷(期) | 2016,(5) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 448-452 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/25/5/058401 |