高功率、高效率808 nm半导体激光器阵列?

• 作者: 吴建耀 宋云菲 宋克昌 李秀山 杨国文 王贞福
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 半导体激光器阵列 电光转换效率 光吸收损耗 非对称宽波导结构
• 年，卷（期）: 2016,（16）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 164203-1-164203-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.164203

摘要

通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm ?1.制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王贞福	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室	8	11	2.0	3.0
2	杨国文	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室	5	11	2.0	3.0
6	吴建耀		1	6	1.0	1.0
7	宋克昌		1	6	1.0	1.0
8	李秀山	中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室	2	6	1.0	2.0