Ga空位对GaN：Gd体系磁性影响的第一性原理研究?

• 作者: 代学芳 侯振桃 刘何燕 刘国栋 刘彩池 李彦如 李英
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN 稀土掺杂 电子结构 磁学性质
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 127102-1-127102-9
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.127102

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料科学与工程学院	63	305	11.0	14.0
2	刘国栋	河北工业大学材料科学与工程学院	33	345	10.0	17.0
3	刘何燕	河北工业大学材料科学与工程学院	22	135	6.0	11.0
4	李英	河北工业大学材料科学与工程学院	14	49	4.0	6.0
5	侯振桃	河北工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	李彦如	河北工业大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
7	代学芳	河北工业大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0