单层SbAs和BiSb的表面修饰调控?

• 作者: 余念念 王嘉赋 袁俊辉 谢晴兴
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: V族二维材料 第一性原理计算 表面修饰 电子结构
• 年，卷（期）: 2016,（21）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 217101-1-217101-10
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.217101

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了V族二维层状材料SbAs和BiSb在全氢化和全氟化后体系的晶体结构、稳定性和电子结构。计算结果表明，全氢化后SbAs和BiSb由buckled结构转变为准平面结构，而全氟化后则转变为low-buckled结构。同时，本征、全氢化和全氟化的SbAs和BiSb均具有很好的稳定性，具备实验合成的可能性。电子结构的分析表明，全氢化和全氟化后SbAs和BiSb均由宽带隙半导体转变为窄带隙的直隙半导体，且其能带结构仍具有很好的线性色散。通过对准平面和low-buckled结构SbAs和BiSb电子结构的进一步分析，揭示了全氢化和全氟化后体系能带变化的原因。在h-BN衬底上的计算结果显示，由于两者间的弱耦合作用，使得全氢化和全氟化SbAs的直隙半导体特征得以保留，表明其在未来光电子设备等领域中具有广泛的应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢晴兴	武汉理工大学理学院	2	0	0.0	0.0
2	袁俊辉	武汉理工大学理学院	5	18	2.0	4.0
3	余念念	武汉理工大学理学院	3	0	0.0	0.0
4	王嘉赋	武汉理工大学理学院	12	36	4.0	6.0