Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate

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AlGaN/GaN HFETs

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篇名	Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate
来源期刊	中国物理B（英文版）	学科
关键词	AlGaN/GaN HFETs wet etching self-aligned-gate
年，卷（期）	2016,（8）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	357-360
页数	4页	分类号
字数		语种	中文
DOI	10.1088/1674-1056/25/8/087308

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