三维a-IGZO薄膜中的电子-电子散射?

• 作者: 张辉 李志青 杨洋
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 电子散射 弱局域效应 电子输运性质
• 年，卷（期）: 2016,（16）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 167301-1-167301-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.167301

摘要

本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜，并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究。研究发现，所有a-IGZO薄膜中，载流子浓度均不随温度变化，高温区的电阻-温度系数为正，说明样品具有类金属导电特性。通过对薄膜低温磁电阻的测量，获得了电子退相干散射率与温度的关系。分析表明，薄膜中电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率，小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨洋	天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室	31	314	10.0	17.0
2	张辉	天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室	18	98	6.0	9.0
3	李志青	天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室	12	39	4.0	5.0