篇名 | Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with double electron blocking layers | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | double electron blocking layers ultraviolet light-emitting diodes n-AlGaN electrostatic field | ||
年,卷(期) | 2016,(2) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 538-543 | |
页数 | 6页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/25/2/028501 |