一种测量纤锌矿n-GaN位错密度的新方法?

• 作者: 何菊生 张萌 李平 潘华清 齐维靖
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氮化镓 霍尔迁移率 位错密度 Rode迭代法
• 年，卷（期）: 2016,（16）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 167201-1-167201-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.167201

摘要

采用点缺陷线性分布模型，利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw变温霍尔效应测量来确定纤锌矿n-GaN位错密度的新方法。用高分辨率X射线衍射仪测试了两个分别用MOCVD方法和用HVPE方法生长的n-GaN样品，用Srikant方法拟合得到了位错密度。结果表明两种方法高度一致。进一步的研究表明，新方法和化学腐蚀方法的测试结果基本一致，相关拟合参数与采用Rode迭代法精确求解Boltzmann输运方程的理论结果也基本一致。研究还表明，新方法能有效消除施主杂质带和界面简并层对测试结果的影响，测试剔除界面层影响后的整个外延层的刃、螺位错密度，而不是穿透位错密度。该方法适合霍尔迁移率曲线峰位在200 K左右及以下并且峰位明确的各种生长工艺、各种厚度、各种质量层次的薄膜和体材料，具有对迁移率曲线高度拟合，材料参数精确，计算简便、收敛速度快等优点。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李平	南昌大学现代教育技术中心	35	110	6.0	9.0
2	张萌	南昌大学材料科学与工程学院	69	569	12.0	20.0
3	潘华清	上饶职业技术学院机械工程系	6	7	2.0	2.0
4	何菊生	南昌大学科学技术学院	5	48	2.0	5.0
5	齐维靖	南昌大学材料科学与工程学院	4	1	1.0	1.0