三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法

• 作者: 傅兴华 唐昭焕 杨发顺 林洁馨 马奎
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 漏极持续电流 三维集成 自加热效应 导通偏置条件
• 年，卷（期）: 2016,（24）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 137-140
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7+3-34|TN104.2-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2016.24.033

摘要

二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数，传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件，散热路径热阻难于精确确定，故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件，以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法，并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象，在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅兴华	贵州大学大数据与信息工程学院	57	181	8.0	9.0
2	杨发顺	贵州大学大数据与信息工程学院	54	125	5.0	8.0
3	马奎	贵州大学大数据与信息工程学院	35	52	4.0	5.0
4	林洁馨	贵州大学大数据与信息工程学院	10	11	2.0	2.0
5	唐昭焕	贵州大学大数据与信息工程学院	4	4	1.0	2.0