高速半导体光电探测器同轴封装工艺误差分析

• 作者: 刘昭谦
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: 耦合效率 同轴封装 芯片横向偏移 芯片倾斜 管帽倾斜
• 年，卷（期）: 2016,（15）
• 所属期刊栏目: 电子测量
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 字数: 1942字
• 语种: 中文

摘要

由于同轴封装工艺误差对高速半导体光电探测器（Photoelectron Diode，PD）组件耦合效率的影响，会导致高速PD的接收灵敏度下降。为了减少同轴封装工艺的误差，分析了同轴封装工艺误差对高速PD耦合效率的影响，从而得出结论：高速PD组件中管帽倾斜、芯片横向偏移和芯片倾斜这三种情况产生的误差对高速PD组件耦合效率都有影响，其中管帽倾斜误差影响最大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘昭谦	中国电子科技集团公司第八研究所	1	1	1.0	1.0