石墨烯转移工艺对功率芯片绝缘层的影响

• 作者: 冯立康 戴立新 洪国东 王政留
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 石墨烯 绝缘 转移工艺
• 年，卷（期）: 2016,（20）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 101-102
• 页数: 2页
• 字数: 1152字
• 语种: 中文

摘要

随着微电子产品高性能、微型化、多功能化的发展需求,电子器件及应用发展迅速,新兴技术给电子产品的热管理带来了极大挑战.石墨烯由于其极高的横向热导率,有希望成为下一代电子器件散热材料的最佳选择.然而,由于石墨烯的超薄尺寸,应用于功率芯片表面进行散热时需要经过复杂的转移工艺.研究发现,石墨烯的转移工艺对芯片表面绝缘层有一定的破坏作用,从而在一定程度上影响芯片的电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴立新		3	0	0.0	0.0
2	冯立康		4	0	0.0	0.0
3	洪国东		2	0	0.0	0.0
4	王政留		2	0	0.0	0.0