低功耗SoC系统的高精度带隙基准

• 作者: 尹雪梅 李嘉 蒋本福
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 基准电压 亚阈值 SOC
• 年，卷（期）: 2016,（19）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 167-168
• 页数: 2页
• 字数: 1048字
• 语种: 中文

摘要

本文设计了一种低功耗带隙基准电路,电路在1.2V电压下能正常输出电压0.865V.采用CSMC 0.18μm的标准CMOS工艺,使用华大九天Aether软件验证平台,仿真结果如下:在tt工艺角下电路启动时间为7.88 us,稳定输出基准电压vref为865 mV;当电源电压为1.2V时,tt工艺角下电路的总电流为250.428nA,功耗为300.514nW;当温度在-40℃-125℃时,tt工艺角下基准电压vref的温度系数为28.236ppm/℃;电路工作电源电压范围为1 V-3 V,tt工艺角下基准电压的线性度为6.6ppm/V;在1Hz-1KHz带宽范围内,tt工艺角下基准电压vref的电源抑制比PSRR为45.10 dB;版图核心面积为0.00618 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋本福	吉林大学珠海学院	3	1	1.0	1.0
2	尹雪梅	吉林大学珠海学院	6	4	1.0	2.0
3	李嘉	吉林大学珠海学院	11	15	2.0	3.0