SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究

• 作者: 张竹青 罗玉梅
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 固结磨料 SiC晶体 化学机械抛光 材料去除率
• 年，卷（期）: 2016,（23）
• 所属期刊栏目: 科技论坛
• 页码范围: 157,151
• 页数: 2页
• 字数: 3102字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结磨料抛光垫,可大幅度提高材料去除效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张竹青		4	2	1.0	1.0
2	罗玉梅		6	4	1.0	2.0