一种低功耗CMOS带隙基准电压源设计

• 作者: 周孝斌 杨若婷 汤知日
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: CMOS工艺 基准电压 温度补偿 快速启动
• 年，卷（期）: 2016,（24）
• 所属期刊栏目: 第六届大学生集成电路设计大赛专栏
• 页码范围: 25-26
• 页数: 2页
• 字数: 1194字
• 语种: 中文

摘要

本文设计采用的是CSMC 0.18um的标准CMOS工艺技术，利用MOS管代替现有基准源电路中的电阻从而达到减小功率的目的，并且利用两类不同电压各自的温度系数相反，使得输出总电压的温度系数得到补偿，极大地降低了输出基准电压的温度系数。仿真结果表明，该电路在1.5V的电源下，在-40~90℃之间，可以实现电路快速启动，并且输出基准电压为0.5996686V，温度系数为17.254ppm/℃，线性度为430.8ppm/V，启动时间约为70us，功耗仅为217nA，版图面积约为0.0495mm2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤知日	武汉大学物理科学与技术学院	7	8	2.0	2.0
2	周孝斌	武汉大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0
3	杨若婷	武汉大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0