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原文服务方: 科技与创新       
摘要:
四氟化硅(SiF4)作为电子与半导体工业的一种重要原料,随着多晶硅等行业的快速发展,其需求量越来越大,对四氟化硅(SiF4)的制备提出了更高的要求.简要分析了四氟化硅(SiF4)的制备方法和我国本土的专利申请现状,以期为未来的研究提供更好的发展方向.
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文献信息
篇名 四氟化硅制备方法的专利研究
来源期刊 科技与创新 学科
关键词 四氟化硅 制备方法 专利申请 电子与半导体工业
年,卷(期) 2016,(19) 所属期刊栏目 创新思维
研究方向 页码范围 22
页数 1页 分类号 TQ127.2
字数 语种 中文
DOI 10.15913/j.cnki.kjycx.2016.19.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周倩 13 8 2.0 2.0
2 白璐 4 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
四氟化硅
制备方法
专利申请
电子与半导体工业
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技与创新
半月刊
2095-6835
14-1369/N
大16开
2014-01-01
chi
出版文献量(篇)
41653
总下载数(次)
0
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