AlGaN/GaN HEMT技术与其专利申请分析研究

• 作者: 黄宝莹
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: AlGaN/GaNHEMT 原理 专利申请
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 41
• 页数: 1页
• 字数: 1898字
• 语种: 中文

摘要

AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率和高温应用方面均具有明显的优势,已经成为当前研究的热点之一.本文介绍了AlGaN/GaN HEMT的工作原理,并结合全球与本国的关于AlGaN/GaN HEMT的相关专利申请情况,梳理出当AlGaN/GaN HEMT的专利申请趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄宝莹		1	0	0.0	0.0