半导体芯片中等离子损伤解决对策

• 作者: 钟俊
• 来源期刊: 大科技
• 学科: 工学
• 关键词: 蚀刻 等离子体淀积 PID
• 年，卷（期）: 2016,（28）
• 所属期刊栏目: 研究园地
• 页码范围: 320
• 页数: 1页
• 分类号: TN405
• 字数: 2107字
• 语种: 中文

摘要

本文采用关闭通孔过蚀刻过程中的磁场和减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率的两种方式,有效地降低了芯片所受到的损伤.利用对这两处工艺的优化,使PID变得可控,有效保证了芯片量产的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟俊		1	0	0.0	0.0