TP RAM的低功耗设计及应用

• 作者: 周清军 邢静
• 来源期刊: 电路与系统
• 学科: 工学
• 关键词: TP RAM SP RAM 功耗优化 接口转换逻辑
• 年，卷（期）: dlyxt_2017,（1）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TP33

摘要

针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法。通过将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,并在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,保持对外接口不变。将文中方法应用于一款多核SoC芯片,该芯片经TSMC 28 nm HPM工艺成功流片,die size为10.7 mm ×11.9 mm,功耗为19.8 W。测试结果表明:优化后的RAM面积减少了24.5%,功耗降低了45.16%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周清军	西安培华学院中兴电信学院	5	4	1.0	1.0
2	邢静	西安培华学院中兴电信学院	9	5	2.0	2.0