聚噻吩插层有机蒙脱土导电复合材料的制备及其修饰

• 作者: 焦钰 邱克辉
• 来源期刊: 矿物岩石
• 学科: 工学
• 关键词: 聚噻吩 有机蒙脱土 复合材料 修饰
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 矿物岩石
• 页码范围: 7-14
• 页数: 8页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

实验采用Fe3+-H2 O2催化氧化体系,以水为介质,十二烷基苯磺酸钠(十二烷基苯磺酸钠)为乳化剂,室温下制备聚噻吩(PTP)-有机蒙脱土(OMMT)复合材料.当有机蒙脱土/聚噻吩=2 g/ml时,反应时间为12h,制得复合材料电导率最高,其值为3.44×10-5 S/cm;在Fe3+-H2O2和过硫酸铵(APS)两种氧化体系下,分别采用苯胺(AND和吡咯(PY)对聚噻吩-有机蒙脱土进行修饰,制得聚苯胺-(聚噻吩-有机蒙脱土)和聚吡咯-(聚噻吩-有机蒙脱土)复合材料的电导率均达到10-2 S/cm～10-1 S/cm,较未修饰时提高了103倍～104倍.傅里叶红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)表明噻吩(TP)进入有机蒙脱土层间聚合,形成插层复合,经苯胺和吡咯修饰后,插层结构没有被破坏;重分析(TG)则证实复合后材料热稳定性得到提高,500℃时失重在11.69％左右,但经修饰后材料的热稳定性有所降低500℃时失重达到80％以上.扫描电镜(SEM)表明在Fe3+-H2 O2氧化体系下,经修饰后材料形貌更规整,且均为球形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱克辉	成都理工大学材料科学技术研究所	82	743	15.0	21.0