解决集成电路漏电和中点电位异常的实例分析

• 作者: 邱静君
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 漏电 中点电位 发射区 缺陷 磷 砷 原子半径
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 2161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2017.05.004

摘要

集成电路(IC)制造中,某些工艺的异常会使得相关的扩散区域产生缺陷,导致IC芯片性能异常,圆片中测低良.一款双极功放集成电路芯片,由于NPN管发射区缺陷,引起IC芯片漏电和输出端中点电位异常,导致中测低良.从电路原理出发,分析如何建立中点电位,推导中点电位与器件参数的关系.结合IC芯片漏电,分析了相关器件参数跟工艺的关系,通过对失效管芯进行解剖腐蚀,定位到管芯失效的原因是NPN管的发射区存在缺陷.通过将发射区磷SOD工艺改变为磷砷离子注入工艺,改善了工艺缺陷,解决了该产品的性能异常和中测低良率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱静君		3	1	1.0	1.0