0.18μm CMOS器件SEL仿真和设计

• 作者: 吴建伟 李燕妃 洪根深 谢儒彬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子闩锁 TCAD 加固 重离子试验 外延工艺
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 3473字
• 语种: 中文

摘要

宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁.基于0.18 μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究.结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构.重离子试验表明,采用3.2 μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86 μm和0.28μrn时,其单粒子闩锁阈值高达99.75 MeV· cm2/mg.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	吴建伟		25	39	4.0	4.0
3	李燕妃		3	7	2.0	2.0
4	谢儒彬		9	22	3.0	4.0