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Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology
Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology | ||
| 来源期刊 | 通讯和计算机：中英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 深亚微米技术 电流放大器 特性 短沟道效应 频率带宽 FET 长度 信道 | ||
| 年，卷（期） | txhjsjzywb_2017,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 39-45 | |
| 页数 | 7页 | 分类号 | TN402 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
深亚微米技术
电流放大器
特性
短沟道效应
频率带宽
FET
长度
信道
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
通讯和计算机：中英文版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
双月刊
ISSN：
1548-7709
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
1576
总下载数（次）
2
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