美国军用GaN进展情况

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 美国国防部 GAN 军用 GAAS 可靠性 替代品 砷化镓 氮化镓
• 年，卷（期）: bdtxx_2017,（1）
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23

摘要

2005年，美国国防部高级研究计划局（DARPA）为开始将氮化镓（GaN）视为砷化镓（GaAs）的替代品，开始为制造商提供GaN研发资金，从而开始致力于其发展。可以说近十年来，电子战和雷达最大的变化之一就是材料由GaAs向GaN过渡，由此带来功率、可靠性和经济上的改善。已经证实，在可靠性和导热率方面GaN都超过GaAs。