基于GaN的宽带功率放大器的仿真

• 作者: 吴治霖 周伟中
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带功率放大器 GaN Microwave office 高效率
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 171-175
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 1540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2017.01.030

摘要

在现代无线通信系统中，系统对功率放大器的功率输出、效率、工作带宽等技术指标的要求愈来愈高。因此，宽带功率放大器的研究变得十分有意义。新一代半导体材料GaN，较Si、 GaAs 等材料，具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性，在宽带功率放大器的设计中被广泛使用。因此，基于Ployfet 公司的GX3442，利用Microwaveoffice 软件，仿真了一款0.2~1.6 GHz 的末级宽带功率放大器，其输出功率大于49 dBm，效率可达55％。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴治霖	中国电子科技集团公司第三十研究所	8	7	2.0	2.0
2	周伟中	中国电子科技集团公司第三十研究所	1	1	1.0	1.0