微型超级电容器的电化学阻抗谱分析

• 作者: 吕晓静 朱平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学阻抗谱(EIS) 微型超级电容器 氧化石墨烯(GO) 电容 接触电阻
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 31-37
• 分类号: TM53
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.01.006

摘要

为了提高微型超级电容器的电化学性能,对其阻抗谱特性进行分析.通过三电极体系对微型超级电容器进行电化学阻抗谱(EIS)测试以及恒流充放电测试,分析复阻抗平面图及波特(Bode)图,获得内部体系的有用信息,并与传统的宏观超级电容器阻抗谱进行分析比较.在尼奎斯特(Nyquist)图中,高频区的半圆弧较长,等效串联电阻Rs约为5.5Ω,接触电阻Rct约为4Ω,低频区域直线与实轴的夹角θ约为65°,表明微型超级电容器的扩散阻抗较大.在Bode图中,当测试频率达到极限频率时,相角约为70°,说明其电容特性有待进一步提高.在1 A/g电流密度下,测得其比电容为471F/g,功率密度为588 W/kg,能量密度为16.3W· h/kg.在电容与频率关系图中,在高频区域,电容接近于0,当频率达到100 Hz(扩散阈值),电容趋于稳定,约为18 μF.另外分析了充电电压、氧化石墨烯(GO)质量分数、电解质种类等因素,对微型超级电容器Nyquist图的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱平	中北大学仪器与电子学院	30	97	6.0	8.0
2	吕晓静	中北大学仪器与电子学院	2	18	2.0	2.0