基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法

• 作者: 于浩 尚玉玲 李春泉 谈敏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成电路(3D-IC) 硅通孔(TSV) 非接触测试 环形振荡器 TSV故障
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 870-875
• 页数: 6页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.11.012

摘要

为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法.用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期.TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化.通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障的不同位置引起的周期变化进行了研究与分析,利用最小二乘法拟合出通过周期来判断故障位置的曲线,同时提出预测模型推断故障电阻范围.测试结构是基于45 nm PTM COMS工艺的HSPICE进行设计与模拟,模拟结果表明,与同类方法相比,此方法在测试分辨故障的基础上对TSV不同位置的故障进行分析和判断,并能推断故障电阻范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李春泉	桂林电子科技大学机电工程学院	56	411	10.0	18.0
2	尚玉玲	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	45	255	8.0	14.0
3	谈敏	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	3	5	2.0	2.0
4	于浩	桂林电子科技大学电子工程与自动化学院	1	3	1.0	1.0