美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校在200mm硅晶圆上制造出GaN高电子迁移率晶体管

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 美国空军 硅晶圆 制造 香槟 大学 GAN 微纳米技术
• 年，卷（期）: bdtxx_2017,（1）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TN32

摘要

近日，在美国空军科学研究实验室资助下，美国伊利诺伊大学厄巴纳一香槟分校（UIUC）宣布研制出先进的硅基氮化镓晶体管技术，在其微纳米技术实验室实现了200mm硅晶圆上制造出高电子迁移率晶体管（HEMT），若在工业界可能实现更大的晶圆尺寸。