LED 3D封装基板用TPI/AlN纳米导热膜的制备与研究

• 作者: 佘乃东 成浩冠 杨中强 梁立 黄增彪
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: LED 热塑性聚酰亚胺 氮化铝 Hi-Pot 热导率
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 页码范围: 81-85
• 页数: 5页
• 分类号: TM215
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.08.015

摘要

通过原位聚合法制备了热塑性聚酰亚胺/氮化铝(TPI/AlN)纳米导热膜.研究了纳米AlN颗粒不同添加量对TPI/AlN纳米导热膜高压击穿(Hi-Pot)、热导率、剥离强度以及介电性能的影响.结果表明:TPI/AlN纳米导热膜的热导率随着纳米AlN填充量的增加而增大,并在质量分数为10%时达到最大值0.41 W/(m·K);而剥离强度随AlN填充量的增加先增大后减小;交收态的导热膜Hi-Pot在质量分数为3%时达到最大值2 kV(AC),继续添加纳米AlN到20%时,Hi-Pot值急剧下降;弯曲后的导热膜Hi-Pot在质量分数为0.5%时达到最大值1.34 kV(AC).导热膜的介电常数(Dk)在低频范围时显著增大,在高频范围时变化不大,介质损耗(Df)随着频率的升高而显著增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨中强	广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心	22	68	6.0	7.0
2	黄增彪	广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心	8	4	2.0	2.0
3	梁立	广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心	10	21	3.0	4.0
4	成浩冠	广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心	3	2	1.0	1.0
5	佘乃东	广东生益科技股份有限公司国家电子电路基材工程技术研究中心	9	9	2.0	2.0