氧化铜–硅同轴纳米线阵列结构的生长与控制

• 作者: 夏晓红 曾力 高云
• 来源期刊: 材料化学前沿
• 学科: 工学
• 关键词: 阳极氧化 等离子体增强化学气相沉积 硅–氧化铜 同轴纳米线阵列 微观结构
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 59-69
• 页数: 11页
• 分类号: TB3

摘要

氧化铜–硅核–壳纳米线阵列结构被广泛应用于各类传感器和锂离子电池等领域。本文通过阳极氧化法制备了高质量的氧化铜纳米线阵列,系统研究了后退火处理对其表面形貌的影响。通过低压气相沉积,在氧化铜表面生成非晶硅壳层结构,通过扫描电镜和拉曼光谱分析,研究不同沉积时间及在不同浓度的碳和硼掺杂条件下对硅纳米线阵列微观结构的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏晓红	湖北大学材料科学与工程学院	15	2	1.0	1.0
2	高云	湖北大学材料科学与工程学院	20	40	4.0	6.0
3	曾力	湖北大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0