半导体中电子和空穴的共有化运动与霍尔电压

• 作者: 张园园 李宇东 林丽娜 罗坚义 黄景诚
• 来源期刊: 物理与工程
• 关键词: 霍尔电压 半导体载流子 有效质量 共有化运动
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 教学经验交流
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 字数: 2858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-7104.2017.04.011

摘要

霍尔效应被应用于测定半导体的载流子种类(电子或空穴)时,空穴的移动在本质上往往被理解为束缚电子的移动,那么同样是电子的移动,却能产生相反的霍尔电压,引发学习者在理解上的困惑.本论文首先阐述了这个问题的由来,并介绍了利用电子有效质量是如何有效解决这个矛盾的观点;最后,笔者从量子力学的角度出发,运用半导体中电子和空穴共有化运动的思想,试图用更加通俗的方式来理解这个问题,以便于学习者能更加深刻、全面地理解霍尔效应和霍尔电压的由来.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗坚义	五邑大学应用物理与材料学院	20	64	5.0	6.0
2	李宇东	五邑大学应用物理与材料学院	3	5	2.0	2.0
3	张园园	五邑大学应用物理与材料学院	2	3	1.0	1.0
4	黄景诚	五邑大学应用物理与材料学院	3	22	2.0	3.0
5	林丽娜	五邑大学应用物理与材料学院	1	2	1.0	1.0