Vishay推出最新第4代600VE系列功率MOSFET

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 第四代 电阻比 N沟道
• 年，卷（期）: bdtxx_2017,（1）
• 页码范围: 10-11
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.1

摘要

Vishay推出第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件--SiHP065N60E。VishaySiliconixN沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOS—FET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOM即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。