65 nm 近阈值 SRAM 稳定性分析

• 作者: 于雨情 喻沛孚 王天琦 肖立伊 齐春华
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 低功耗 近阈值电压 读噪声容限 工艺波动
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 26-29,34
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

本文通过将供电电压降低到近阈值区域实现低功耗的目的。现有标准6T-ARAM 在近阈值电压下的性能非常差，且受工艺波动的影响很大。因此，本文提出了一种新型的8T-ARAM，与近阈值电压下的6管单元相比，其静态功耗基本相同，读噪声容限也增加了一倍。因此使该新型8管单元在实现低功耗的基础上保证了读写的稳定性。另外针对工艺波动对读噪声容限的影响进行分析，与6T-ARAM 相比，新型8T-ARAM 受工艺波动的影响更小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖立伊	哈尔滨工业大学微电子中心	39	247	9.0	13.0
2	王天琦	哈尔滨工业大学空间基础科学研究中心	5	7	2.0	2.0
3	于雨情	哈尔滨工业大学微电子中心	1	4	1.0	1.0
4	齐春华	哈尔滨工业大学微电子中心	2	4	1.0	2.0
5	喻沛孚	哈尔滨工业大学软件学院	1	4	1.0	1.0