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摘要:
在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验.分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,2(0%)、FA/O Ⅰ型螯合剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)和FA/O型活性剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)对石英玻璃化学机械抛光去除速率的影响.实验结果表明:随着磨料质量分数增加,石英玻璃去除速率明显提高,从11 nm/min提升到97.9 nm/min,同时表面粗糙度(Ra)逐渐降低,从2.950 nm降低到0.265 nm;FA/O Ⅰ型螯合剂通过化学作用对去除速率有一定的提高,Ra也有一定程度的减小,能够降低到0.215 nm;FA/O型活性剂的加入会导致去除速率有所降低,但是能够使Ra进一步降低至0.126 nm.最终在磨料、FA/O Ⅰ型螯合剂、FA/O型活性剂的协同作用下,石英玻璃去除速率达到93.4 nm/min,Ra达到0.126 nm,远小于目前行业水平的0.9 nm.
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文献信息
篇名 超精度石英玻璃的化学机械抛光
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 集成电路 石英玻璃 表面粗糙度 化学机械抛光(CMP) 去除速率
年,卷(期) 2017,(1) 所属期刊栏目 加工、测量与设备
研究方向 页码范围 48-52
页数 分类号 TN305.2
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2017.01.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王胜利 河北工业大学电子信息工程学院 26 107 6.0 8.0
3 王辰伟 河北工业大学电子信息工程学院 80 287 8.0 10.0
5 张文倩 河北工业大学电子信息工程学院 11 36 3.0 5.0
11 郑环 河北工业大学电子信息工程学院 3 15 2.0 3.0
14 王仲杰 河北工业大学电子信息工程学院 2 14 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
石英玻璃
表面粗糙度
化学机械抛光(CMP)
去除速率
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