水冷氚增殖包层的中子学模拟

• 作者: 刘辰 曹学武
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 水冷氚增殖包层 TBR 中子学模拟
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 核聚变工程技术
• 页码范围: 64-68
• 页数: 5页
• 分类号: TL613
• 字数: 2892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16568/j.0254-6086.201701012

摘要

建立起锂球壳模型,用三个不同的聚变评价中子数据库——FENDL2.1、FENDL3.0和JEFF3.2分别进行了中子输运模拟,比较了三个数据库的模拟结果.再对水冷增殖包层分别建立一维中子学模型和三维中子学模型,进行中子输运模拟.分析模拟结果表明,选择FENDL3.0作为水冷增殖包层三维中子学模拟的数据库;水冷增殖包层一维中子学模拟优先考虑柱壳模型模拟;水冷氚增殖包层的三维中子学模拟所得氚增殖率TBR能满足氚自持要求;而且外包层的TBR贡献是主要的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹学武	上海交通大学机械与动力工程学院	97	347	9.0	11.0
2	刘辰	上海交通大学机械与动力工程学院	2	26	1.0	2.0