TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究

• 作者: 冀新友 刘琨 卢凯 张家祥 张文余 张洁 李京鹏 李良杰 王亮 王凤涛 王彦强 王琪
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 沟道界面 漏电流 Al电极 TFT特性
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 器件技术
• 页码范围: 433-437
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 1880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173206.0433

摘要

本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低;PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.