X射线及UVB对人表皮细胞细胞增殖及褪黑素受体表达的影响

• 作者: 刘青杰 封江彬 李爽 李至荟 田雪蕾 蔡恬静 赵骅 陆雪 高玲
• 来源期刊: 中国医学装备
• 学科: 医学
• 关键词: X射线 紫外线B(UVB) 细胞增殖 褪黑素受体 蛋白印迹法
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论著
• 页码范围: 156-160
• 页数: 5页
• 分类号: R-33
• 字数: 3618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/J.ISSN.1672-8270.2017.06.043

摘要

目的:研究X射线和紫外线B(UVB)对表皮细胞增殖的影响,以及对褪黑素受体(MTNR)蛋白表达的影响,为生活在高海拔地区可能受到较高电离和非电离辐射的公众辐射效应及其防护提供指导.方法:经照射剂量为0 Gy(对照组)、0.5 Gy、2 Gy和5 Gy(照射组)X射线以及0 mJ/cm2、20 mJ/cm2、50 mJ/cm2、100 mJ/cm2和200 mJ/cm2的UVB分别照射人表皮细胞Hacat和人黑色素瘤细胞A875,通过四甲基偶氮唑(MTT)和克隆形成率实验检测细胞增殖能力变化,采用蛋白质印迹法检测褪黑素受体MTNR-1B蛋白表达变化.结果:在照射剂量为0.5 Gy、2 Gy和5 Gy的X射线以及20 mJ/cm2和50 mJ/cm2UVB的照射下,可导致Hacat和A875细胞生长不同程度的降低.3种不同剂量X射线照射后Hacat细胞克隆形成率分别为对照组的71.2%、36.7%和16.3%,与对照组比较差异有统计学意义(F=249.96,P<0.05),A875细胞细胞克隆形成率分别为对照组的64.7%、49.5%和31.6%,与对照组比较差异有统计学意义(F=147.29,P<0.05);在照射剂量为20 mJ/cm2和50 mJ/cm2的UVB照射后Hacat细胞的克隆形成率分别为对照组的40.74%和12.96%,A875细胞的克隆形成率分别为对照组的16.33%和6.12%;50 mJ/cm、100 mJ/cm和200 mJ/cm2的UVB照射后A875细胞中MTNR1B表达随着剂量的增大而显著增加,而3种不同剂量X射线对MTNR1B表达在不同剂量之间无显著影响.结论:X射线和UVB照射后均可引起细胞增殖和存活能力的降低,UVB照射后引起的细胞增殖抑制可能与褪黑素受体表达变化相关.