碱性铜精抛液中表面活性剂ADS对平坦化效果的影响

• 作者: 王彦 王胜利 王辰伟 田胜骏 田骐源 腰彩红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜精抛液 化学机械抛光(CMP) 十二烷基硫酸铵(ADS) 片内非均匀性(WIWNU) 平坦化
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 838-843
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.11.006

摘要

研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响.对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下的抛光液表面张力、铜去除速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、晶圆片内非均匀性和表面粗糙度进行了测试.实验结果表明,当阴离子表面活性剂ADS的质量分数为0.2％时,抛光液的表面张力降低,铜的去除速率为202.5 nm·min-1,去除速率片内非均匀性减小到4.15％,抛光后铜膜的碟形坑高度从132 nm降低到68.9 nm,表面粗糙度减小到1.06 nm.与未添加表面活性剂相比,晶圆表面的平坦化效果得到改善.